Sinterkeramik

Aluminiumnitrid (chemisches Symbol: AlN) ist ein Halbleiter mit sehr hoher Bandlücke (6,2 eV). Es handelt sich um ein hitzebeständiges und elektrisch isolierendes Material mit einer sehr hohen Wärmeleitfähigkeit (höher als diejenige von Kupfer bei 200°C) und einem hohen Widerstand gegen Oxidation und Verschleiß.
Es hat mögliche Anwendungen als Substrat und in der Leistungselektronik für die Herstellung von Leistungs-Mikrowellentransistoren.

Aluminiumnitrid wird durch thermische Reduktion von Tonerde oder durch Nitrieren von Aluminium synthetisiert. Seine Dichte variiert um 3,3 g/cm³  und selbst wenn es nicht schmilzt, löst es sich bei ca. 2300°c bei atmosphärischem Druck auf. Es ist durchsichtig für sichtbare Wellenlängen und Infrarot (0,5 bis 3µm) und kann als Fenster für Infrarote oder Radar genutzt werden.

Eigenschaft :
Hohe Wärmeleitung, 5fach im Vergleich zu Tonerde
Elektroisolation
Geringer Wärmedehnungskoeffizient
Hohe Benutzungstemperatur
Hohe Reinheit
Geringe Dielektrizitätskonstante
Beständigkeit gegenüber Schmelzmetallen (Aluminium, Kupfer, Lithium,…)
Angreifbar durch Säuren und Alkalimetalle


Anwendungen:
Formstück in Vakuumsystem
Wärmeableitung
Elektroisolation
Strukturstück